孿生靶磁控濺射真空鍍膜（Twin Targets Magnetron Sputtering）是一種磁控濺射技術(shù)，它通過在兩個相鄰的靶上施加雙向交變電壓來實現(xiàn)。這種技術(shù)可以應(yīng)用于材料科學(xué)技術(shù)的基礎(chǔ)研究，特別是在薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域。孿生靶磁控濺射能夠克服一些傳統(tǒng)靶材的局限性，例如Ti-Al合金靶材的高成本和制備過程中對膜層成分控制的難度，以及合金結(jié)構(gòu)中的孔隙等缺陷導(dǎo)致的輝光放電不穩(wěn)定等問題。

在具體應(yīng)用方面，孿生靶磁控濺射真空鍍膜設(shè)備技術(shù)被用于在Q235低碳鋼基體上制備TiAlN薄膜。通過調(diào)整工藝參數(shù)，如負(fù)偏壓幅值、占空比、工作氣壓和靶電流，可以影響薄膜的表面形貌、膜厚、硬度和耐腐蝕性。研究表明，適當(dāng)?shù)膮?shù)設(shè)置可以有效降低薄膜表面粗糙度、提高粒徑均勻性，并且薄膜的沉積速率主要受靶電流的影響。此外，通過調(diào)整負(fù)偏壓，可以有效地調(diào)節(jié)膜層中Al/Ti原子比，增加薄膜中的TiAlN含量。

綜上所述，孿生靶磁控濺射真空鍍膜設(shè)備技術(shù)是一種能夠提高薄膜質(zhì)量和性能的有效方法，尤其在制備TiAlN等三元復(fù)合薄膜時顯示出其獨特的優(yōu)勢。