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多弧離子鍍膜設(shè)備是一種先進(jìn)的工藝試驗(yàn)儀器,主要用于在金屬、陶瓷、玻璃等材質(zhì)表面鍍制各種硬質(zhì)金屬膜、金屬化合物膜及裝飾膜。以下是對(duì)多弧離子鍍膜設(shè)備的詳細(xì)介紹:
多弧離子鍍膜(Arc Ion Plating,AIP)是利用高能電弧放電使金屬靶材氣化并電離,將高能金屬離子沉積在基材表面形成涂層的氣相沉積(PVD)技術(shù)之一。其重點(diǎn)是電弧放電,由高電流密度的電弧光斑觸發(fā),在靶材表面產(chǎn)生局部高溫,使靶材材料劇烈氣化,進(jìn)而形成高能金屬離子。這些離子在電場(chǎng)的作用下迅速加速并向基材方向運(yùn)動(dòng),然后在基材表面沉積并形成涂層。
高致密性:鍍層具有致密性高、耐磨、耐腐蝕等特點(diǎn),能夠提高基材的性能和使用壽命。
高離化率:可達(dá)60%~80%的高離化率,確保鍍膜質(zhì)量。
高沉積速率:如TiN等涂層可達(dá)到100nm/s~1000nm/s的高沉積速率,提高生產(chǎn)效率。
適用范圍廣:既可反離子鍍,又可蒸鍍金屬結(jié)構(gòu)材料、合金材料,應(yīng)用領(lǐng)域多樣。
多弧離子鍍膜設(shè)備的技術(shù)參數(shù)因型號(hào)和制造商而異,但通常包括真空度、有效鍍膜空間、抽真空時(shí)間、極限壓力、工作真空度、偏壓電源等。例如,某些型號(hào)的多弧離子鍍膜機(jī)具有單室真空室,尺寸為?1000*1000mm2,有效鍍膜空間為?600*600mm2,抽真空時(shí)間小于15分鐘(室溫空真空室從大氣壓抽到4.0*10^-3Pa),極限壓力為3.0×10^-4Pa,工作真空度為10~1.0×10^-1Pa。
多弧離子鍍膜設(shè)備多應(yīng)用于工具、電子、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域。具體應(yīng)用場(chǎng)景包括:
工業(yè)工具和模具制造:用于切削刀具、模具表面以提高耐磨性,有效延長工具壽命,減少磨損。
半導(dǎo)體元件保護(hù):適用于晶圓和IC封裝,增強(qiáng)元件的防護(hù)能力,提高產(chǎn)品可靠性。
光學(xué)儀器和裝飾品:用于防反射和濾光膜層,改善光學(xué)性能和美觀度,增加產(chǎn)品價(jià)值。
高溫環(huán)境下的耐磨、抗氧化涂層:提高零部件的耐用性和性能穩(wěn)定性。
設(shè)備簡(jiǎn)單高效:機(jī)械整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,設(shè)備生產(chǎn)效率高,工作周期短,適合大批量的工業(yè)化生產(chǎn)。
鍍膜質(zhì)量高:鍍膜膜層致密度高,膜層壽命長,強(qiáng)度高,能夠滿足各種復(fù)雜工況下的使用需求。
綜上所述,多弧離子鍍膜設(shè)備是一種高效、先進(jìn)的鍍膜設(shè)備,具有豐富的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用的不斷拓展,多弧離子鍍膜設(shè)備將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
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