Physical Vapor Deposition(PVD)亦稱為物理氣象沉淀技術(shù)。該技術(shù)在真空條件下，通過先將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。

PVD沉積流程可以粗略的被分為鍍料的汽化、鍍料的遷移和鍍料的沉積三個部分。

PVD沉積過程

根據(jù)工藝不同，PVD可以進一步分為真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等。

真空蒸鍍（Vacuum Evaporation）

真空蒸鍍（Vacuum Evaporation）是指在真空條件下，使金屬、金屬合金或化合物蒸發(fā)，然后沉積在基體表面上的工藝。

比較常用的蒸發(fā)方法為電阻加熱，高頻感應(yīng)加熱或用電子束、激光束以及離子束高能轟擊鍍料等。

VE簡要設(shè)備原理圖

濺射鍍膜（Vacuum Sputtering）

濺射鍍膜（Vacuum Sputtering）基本原理是充氬（Ar）氣的真空條件下，使氬氣進行輝光放電，這時氬（Ar）原子電離成氬離子（Ar+），氬離子在電場力的作用下加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。

根據(jù)采用電流的不同，該工藝可以機一步分為采用直流輝光放電的直流（Qc）濺射，采用射頻（RF）輝光放電的射頻濺射以及磁控（M）輝光放電引起的稱磁控濺射。

電弧等離子體鍍膜

電弧等離子體鍍膜基本原理是在真空條件下，用引弧，使真空金壁（陽極）和鍍材（陰極）之間進行弧光放電，陰極表面快速移動著多個陰極弧板，不斷迅速蒸發(fā)，使之電離成以鍍料為主要成分的電弧等離子體，并迅速將鍍料沉積于基體。因為有多弧斑，所以也稱多弧蒸發(fā)離化過程。

離子鍍

離子鍍基本原理是在真空條件下，采用某種等離子體電離技術(shù)，使鍍料原子部分電離成離子，同時產(chǎn)生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。

PVD技術(shù)不僅能用于金屬膜和合金膜的沉積，還可以用于沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體和聚合物膜等材料。

在顯示屏生產(chǎn)中，真空蒸鍍PVD技術(shù)被用于沉積活潑的金屬電極和在用FMM工藝的AMOLED中沉積小分子的HIL/HTL/EML/ETL/EIL等，而磁控濺射PVD技術(shù)被用于AI、Cr、Ta、Mo等金屬上以及像素電極的透明ITO上。